STB9NK60ZT4 Todos los transistores

 

STB9NK60ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB9NK60ZT4
   Código: B9NK60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB9NK60ZT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  st
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STB9NK60ZT4

STB9NK60Z, STP9NK60Z, STP9NK60ZFPN-channel 600 V, 0.85 typ., 7 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on) max ID PTOT3STB9NK60ZT4312125 W600 1STP9NK60Z 0.95 7 A2VD PAKTO-220STP9NK60ZFP 30 W Extremely high dv/dt capability Improved ESD

 5.1. Size:430K  st
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STB9NK60ZT4

STP9NK60Z - STP9NK60ZFPSTB9NK60Z - STB9NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID Pw

 5.2. Size:409K  st
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STB9NK60ZT4

STB9NK60ZDSTF9NK60ZD - STP9NK60ZDN-channel 600 V - 0.85 - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220SuperFREDMesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTB9NK60ZD 600 V

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STB9NK60ZT4

STB9NK60Z, STP9NK60Z, STP9NK60ZFPN-channel 600 V, 0.85 typ., 7 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on) max ID PTOT3STB9NK60ZT4312125 W600 1STP9NK60Z 0.95 7 A2VD PAKTO-220STP9NK60ZFP 30 W Extremely high dv/dt capability Improved ESD

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History: HCU90R1K0 | 2SJ166

 

 
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