STB9NK70ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB9NK70ZT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB9NK70ZT4 MOSFET
STB9NK70ZT4 Datasheet (PDF)
stb9nk70zt4.pdf

STP9NK70Z - STP9NK70ZFPSTB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70ZN-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK70Z 700 V
stp9nk70z stp9nk70zfp stb9nk70z stb9nk70z-1 stw9nk70z.pdf

STP9NK70Z - STP9NK70ZFPSTB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70ZN-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK70Z 700 V
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf

STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V
stb9nk80z.pdf

STB9NK80ZAutomotive-grade N-channel 800 V, 1.5 typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in D2PAK packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) Type IDTAB(@Tjmax) max.STB9NK80Z 800V 1.8 5.2A Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified1 Extremely high dv/dt capabilityD2PAK 100% avalanche tested Gate charge m
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History: IRFS4620PBF | IRFI9634G | 2SK2171 | FS10KM-9 | HFF640 | DMD4523D | FTP06N60C
History: IRFS4620PBF | IRFI9634G | 2SK2171 | FS10KM-9 | HFF640 | DMD4523D | FTP06N60C



Liste
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