STB9NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB9NK80Z
Código: B9NK80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
- Selección de transistores por parámetros
STB9NK80Z Datasheet (PDF)
stb9nk80z.pdf
STB9NK80ZAutomotive-grade N-channel 800 V, 1.5 typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in D2PAK packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) Type IDTAB(@Tjmax) max.STB9NK80Z 800V 1.8 5.2A Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified1 Extremely high dv/dt capabilityD2PAK 100% avalanche tested Gate charge m
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf
STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V
stp9nk70z stp9nk70zfp stb9nk70z stb9nk70z-1 stw9nk70z.pdf
STP9NK70Z - STP9NK70ZFPSTB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70ZN-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK70Z 700 V
stb9nk50z-1.pdf
STP9NK50Z - STP9NK50ZFPSTB9NK50Z - STB9NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK50Z 500 V
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
