IRFS7430PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFS7430PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Encapsulados: TO-263
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IRFS7430PBF datasheet
irfs7430pbf irfsl7430pbf.pdf
StrongIRFET IRFS7430PbF IRFSL7430PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS 40V D l Brushed motor drive applications RDS(on) typ. 0.97m l BLDC motor drive applications l Battery powered circuits max. 1.2m G l Half-bridge and full-bridge topologies 426A ID (Silicon Limited) l Synchronous rectifier applications S ID (Package Limited) 195A l Resonant mode power supplies l O
irfs7430-7ppbf.pdf
StrongIRFET IRFS7430-7PPbF Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications VDSS 40V D PWM Inverterized topologies Battery powered circuits RDS(on) typ. 0.55m Half-bridge and full-bridge topologies 0.75m G max Electronic ballast applications ID (Silicon Limited) 52
irfs7437pbf irfsl7437pbf.pdf
StrongIRFET IRFS7437PbF IRFSL7437PbF Applications l Brushed Motor drive applications l BLDC Motor drive applications HEXFET Power MOSFET l Battery powered circuits VDSS 40V D l Half-bridge and full-bridge topologies l Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 1.4m l Resonant mode power supplies max. 1.8m l OR-ing and redundant power switches G ID (Silicon Limite
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