IRFS7434PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFS7434PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 294 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1540 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Encapsulados: TO-263
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IRFS7434PBF datasheet
irfs7434pbf irfsl7434pbf.pdf
StrongIRFET IRFS7434PbF IRFSL7434PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Brushed Motor drive applications VDSS 40V D l BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.25m l Battery powered circuits max. 1.6m l Half-bridge and full-bridge topologies G l Synchronous rectifier applications 320A ID (Silicon Limited) l Resonant mode power supplies S ID (Package Limited) 19
irfs7434-7ppbf.pdf
StrongIRFET IRFS7434-7PPbF Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications VDSS 40V D Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 0.70m Synchronous rectifier applications 1.0m G max Resonant mode power supplies ID (Silicon Limited
irfs7434.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS7434 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S
Otros transistores... IRFS634B , IRFS640B , IRFS644B , IRFS654B , IRFS730B , IRFS740B , IRFS7430-7PPBF , IRFS7430PBF , RFP50N06 , IRFS7434-7PPBF , IRFS7437-7PPBF , IRFS7437PBF , IRFS7440PBF , IRFS7530-7PPBF , IRFS7530PBF , IRFS7534PBF , IRFS7534-7PPBF .
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