IRFSL7787PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFSL7787PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
Búsqueda de reemplazo de IRFSL7787PBF MOSFET
IRFSL7787PBF Datasheet (PDF)
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StrongIRFET IRFB7787PbF IRFS7787PbF IRFSL7787PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 75V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 6.9m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 8.4m Resonant mode power supplies S OR-ing
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isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL7787FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous Rectifier applicationsResonant mode power suppliesBattery powered circuitsABSOLUTE MAXIM
irfs7762pbf irfsl7762pbf.pdf
StrongIRFET IRFS7762PbF IRFSL7762PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed motor drive applications DVDSS 75V BLDC motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 5.6m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 6.7m Resonant mode power supplies SID 8
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History: IRFTS9342PBF | IXTP4N45A
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