IRFU020PBF Todos los transistores

 

IRFU020PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU020PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IRFU020PBF datasheet

 ..1. Size:1076K  vishay
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IRFU020PBF

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020) Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration

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 irfu020 irfu022 irfu024 irfu025 irfr020 irfr022 irfr024 irfr025.pdf pdf_icon

IRFU020PBF

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IRFU020PBF

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020) Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration

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IRFU020PBF

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