IRFU024PBF Todos los transistores

 

IRFU024PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU024PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFU024PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1456K  international rectifier
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IRFU024PBF

PD- 95236AIRFR024PbFIRFU024PbF Lead-FreeAbsolute Maximum Ratings12/03/04Document Number: 91264 www.vishay.com1IRFR/U024PbFDocument Number: 91264 www.vishay.com2IRFR/U024PbFDocument Number: 91264 www.vishay.com3IRFR/U024PbFDocument Number: 91264 www.vishay.com4IRFR/U024PbFDocument Number: 91264 www.vishay.com5IRFR/U024PbFDocument Number: 91264 ww

 ..2. Size:1050K  vishay
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IRFU024PBF

IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 Surface Mount (IRFR024, SiHFR024)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Straight Lead (IRFU024, SiHFU024) Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 25 Fast SwitchingQgs (nC) 5.8 Ease of ParallelingQgd (nC) 11 Simple Driv

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IRFU024PBF

 7.2. Size:285K  1
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IRFU024PBF

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History: CS6N120P

 

 
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