IRFU13N20DPBF Todos los transistores

 

IRFU13N20DPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU13N20DPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.235 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFU13N20DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  international rectifier
irfr13n20dpbf irfu13n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFU13N20DPBF

PD-95354ASMPS MOSFETIRFR13N20DPbFIRFU13N20DPbF Lead-Freewww.irf.com 11/17/05IRFR/U13N20DPbF2 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 3IRFR/U13N20DPbF4 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 5IRFR/U13N20DPbF6 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 7IRFR/U13N20DPbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (T

 4.1. Size:261K  inchange semiconductor
irfu13n20d.pdf pdf_icon

IRFU13N20DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU13N20DFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 7.1. Size:222K  international rectifier
irfu13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFU13N20DPBF

PD - 95549AIRFR13N15DPbF IRFU13N15DPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.18 14Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pa

 7.2. Size:260K  inchange semiconductor
irfu13n15d.pdf pdf_icon

IRFU13N20DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU13N15DFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MMBT7002DW | WNM3017 | TMPF7N90 | IRF624A | APM9986CO | SMP40N10 | IXFN64N60P

 

 
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