IRFU320PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFU320PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU320PBF

IRFU320PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1849K international rectifier
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PD-95013AIRFR320PbFIRFU320PbF Lead-Free12/13/04Document Number: 91273 www.vishay.com1IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com2IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com3IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com4IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com5IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com6IRFR/U320

..2. Size:1814K international rectifier
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PD-95013AIRFR320PbFIRFU320PbF Lead-Freewww.irf.com 112/13/04IRFR/U320PbF2 www.irf.comIRFR/U320PbFwww.irf.com 3IRFR/U320PbF4 www.irf.comIRFR/U320PbFwww.irf.com 5IRFR/U320PbF6 www.irf.comIRFR/U320PbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage InductanceCurrent

7.1. Size:211K 1
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7.2. Size:1555K vishay
irfr320 irfu320 sihfr320 sihfu320.pdf

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS* Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)Qg (Max.) (nC) 20 COMPLIANT Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)Qgs (nC) 3.3 Available in Tape and ReelQgd (nC) 11 Fast Switching

7.3. Size:860K infineon
irfr320 irfu320 sihfr320 sihfu320.pdf

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated Surface Mount (IRFR320,SiHFR320)RDS(on) ()VGS = 10 V 1.8 Straight Lead (IRFU320,SiHFU320)Qg (Max.) (nC) 20 Available in Tape and ReelQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of

7.4. Size:297K inchange semiconductor
irfu320.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFU320FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 1.8 @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: APT12080LVFRG

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: