STD12NF06LT4 Todos los transistores

 

STD12NF06LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD12NF06LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD12NF06LT4 Datasheet (PDF)

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STD12NF06LT4

STD12NF06LSTD12NF06L-1N-channel 60V - 0.08 - 12A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD12NF06L 60V

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STD12NF06LT4

STD12NF06LSTD12NF06L-1N-channel 60V - 0.08 - 12A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD12NF06L 60V

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STD12NF06LT4

STD12NF06LSTD12NF06L-1N-channel 60V - 0.08 - 12A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD12NF06L 60V

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STD12NF06LT4

STD12NF06N-CHANNEL 60V - 0.08 - 12A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD12NF06 60 V

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History: FDBL0150N80 | AP09N70R-H | 2SK1212 | DMT32M5LFG | 4N70L-TN3-R | IRHMK57260SE | TK6P53D

 

 
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