STD18N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD18N65M5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD18N65M5 datasheet

 ..1. Size:1015K  st
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STD18N65M5

STB18N65M5, STD18N65M5 N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in D PAK and DPAK packages Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TAB TJmax max TAB STB18N65M5 710 V

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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STD18N65M5

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STD18N65M5 FEATURES Higher V rating DSS Excellent switching performance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS

 8.1. Size:1107K  st
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STD18N65M5

STB18NF25 STD18NF25 N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max STB18NF25 250 V

 8.2. Size:752K  st
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STD18N65M5

STD18N55M5, STP18N55M5 Datasheet N-channel 550 V, 0.150 typ., 16 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK and TO-220 packages Features VDS @ TAB RDS(on)max. Order code Package TAB Tjmax. 3 2 STD18N55M5 DPAK 1 600 V 0.192 3 2 STP18N55M5 TO-220 DPAK TO-220 1 Extremely low RDS(on) Low gate charge and input capacitance Excellent switching performance D(2, TA

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