STD18N65M5 Todos los transistores

 

STD18N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD18N65M5
   Código: 18N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD18N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1015K  st
stb18n65m5 std18n65m5.pdf pdf_icon

STD18N65M5

STB18N65M5, STD18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTABTJmax maxTABSTB18N65M5710 V

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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STD18N65M5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STD18N65M5FEATURESHigher V ratingDSSExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

 8.1. Size:1107K  st
stb18nf25 std18nf25.pdf pdf_icon

STD18N65M5

STB18NF25STD18NF25N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB18NF25 250 V

 8.2. Size:752K  st
std18n55m5 stp18n55m5.pdf pdf_icon

STD18N65M5

STD18N55M5, STP18N55M5DatasheetN-channel 550 V, 0.150 typ., 16 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK and TO-220 packages FeaturesVDS @TABRDS(on)max.Order code PackageTABTjmax.32STD18N55M5 DPAK1600 V 0.192 32 STP18N55M5 TO-220DPAK TO-2201 Extremely low RDS(on) Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceD(2, TA

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