STD1NK60T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD1NK60T4
Código: D1NK60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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STD1NK60T4 Datasheet (PDF)
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std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4 N-channel 600 V, 7.3 typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD1NK60T4 600 V 8.5 1 A 30 W Extremely high dv/dt capability ESD improved capability 100% avalanche tested Gate charge minimized Figure 1: Internal schematic diagram Applications L
std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
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STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V
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Liste
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