STD30NE06LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD30NE06LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD30NE06LT4
STD30NE06LT4 Datasheet (PDF)
std30ne06lt4.pdf
STD30NE06LN - CHANNEL 60V - 0.025 - 30A TO-252STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NE06L 60 V
std30ne06l.pdf
STD30NE06LN - CHANNEL 60V - 0.025 - 30A TO-252STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NE06L 60 V
std30ne06l-.pdf
STD30NE06LN - CHANNEL 60V - 0.025 - 30A - DPAKSTripFET " POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NE06L 60 V
std30ne06.pdf
STD30NE06N - CHANNEL 60V - 0.025 - 30A - DPAKSTripFET " POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NE06 60 V
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History: SI4830CDY
History: SI4830CDY
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