STD30NF03LT4 Todos los transistores

 

STD30NF03LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD30NF03LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD30NF03LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  st
 std30nf03l-1 std30nf03lt4.pdf pdf_icon

STD30NF03LT4

STD30NF03LSTD30NF03L-1N-channel 30V - 0.020 - 30A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD30NF03L-1 30V

 4.1. Size:328K  st
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STD30NF03LT4

STD30NF03LSTD30NF03L-1N-channel 30V - 0.020 - 30A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD30NF03L-1 30V

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 std30nf06l.pdf pdf_icon

STD30NF03LT4

STD30NF06LN-CHANNEL 60V - 0.022 - 35A DPAK/IPAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NF06L 60 V

 6.2. Size:324K  st
 std30nf06t4.pdf pdf_icon

STD30NF03LT4

STD30NF06N-CHANNEL 60V - 0.020 - 28A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NF06 60 V

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History: 2N65N | CS2N70HD | APT5016BFLL | CTD04N004 | 2SK3789-01R | NCE60ND03N | BLP042N15J-B

 

 
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