STD30NF04LT Todos los transistores

 

STD30NF04LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD30NF04LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD30NF04LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  st
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STD30NF04LT

STD30NF04LTN-channel 40 V, 0.03 typ., 30 A, STripFET II Power MOSFET ina DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTD30NF04LT 40 V

 ..2. Size:760K  cn vbsemi
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STD30NF04LT

STD30NF04LTwww.VBsemi.twN-Channel 4 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.013 at VGS = 10 V 5540 42 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGDG SSTop ViewN-Channel MOSFET

 6.1. Size:465K  st
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STD30NF04LT

STD30NF06LN-CHANNEL 60V - 0.022 - 35A DPAK/IPAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NF06L 60 V

 6.2. Size:324K  st
 std30nf06t4.pdf pdf_icon

STD30NF04LT

STD30NF06N-CHANNEL 60V - 0.020 - 28A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD30NF06 60 V

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History: FTK4828 | R6507ENJ | IRF1018ESLPBF | R5013ANX | TMU2N60AZ | STB11NM60 | IRF1018ESPBF

 

 
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