STD35NF06LT4 Todos los transistores

 

STD35NF06LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD35NF06LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD35NF06LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  st
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STD35NF06LT4

STD35NF06LN-channel 60 V, 0.014 , 35 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) IDTABSTD35NF06LT4 60V

 ..2. Size:1468K  cn vbsemi
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STD35NF06LT4

STD35NF06LT4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

 4.1. Size:325K  st
 std35nf06l.pdf pdf_icon

STD35NF06LT4

STD35NF06LN-channel 60V - 0.014 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06L 60V

 5.1. Size:313K  st
 std35nf06t4.pdf pdf_icon

STD35NF06LT4

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

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History: RQ6E050AT | FQU1N50TU | SST202 | BLF7G24LS-100 | SMK1820FJ | IRF7316QPBF | BMS3003

 

 
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