STD36P4LLF6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD36P4LLF6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD36P4LLF6

STD36P4LLF6 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K st
std36p4llf6.pdf

STD36P4LLF6 P-channel 40 V, 0.016 typ., 36 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - target specification RDS(on)* Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate input resistance Applications Switching applications DPAK LCC converters, resonant converters Description

9.1. Size:771K st
std36nh02l.pdf

STD36NH02LN-channel 24V - 0.011 - 30A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD36NH02L 24V

9.2. Size:289K auk
std361.pdf

STD361NPN Silicon TransistorPIN Connection Description Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150) Suitable for low voltage large current drivers Switching Application SOT-89 Ordering Information Type NO. Marking Package Code YA STD361 SOT-89 YWW YA: DEVICE CODE, YWW(Y : Year code, WW : Weekly

9.3. Size:111K samhop
stu36l01a std36l01a.pdf

GrPPrPPSTU/D36L01AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 36A 17 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(T

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