STD3NK60ZT4 Todos los transistores

 

STD3NK60ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD3NK60ZT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD3NK60ZT4 datasheet

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 stb3nk60zt4 std3nk60z-1 std3nk60zt4 stp3nk60z stp3nk60zfp.pdf pdf_icon

STD3NK60ZT4

STB3NK60ZT4, STD3NK60Z-1, STD3NK60ZT4 STP3NK60Z, STP3NK60ZFP Datasheet N-channel 600 V, 3.2 typ., 2.4 A SuperMESH Power MOSFETs in D PAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packages Features TAB TAB 3 VDS RDS(on) max. ID Order codes Package 2 3 1 1 D2PAK IPAK TAB STB3NK60ZT4 D2PAK 2 3 TAB 1 STD3NK60Z-1 IPAK DPAK 600 V 3.6 2.4 A STD3NK60ZT4 DPAK 3 STP3NK60Z TO

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STD3NK60ZT4

STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP3NK60Z 600 V

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STD3NK60ZT4

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STD3NK60ZT4 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

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STD3NK60ZT4

STD3NK60ZD N-channel 600 V, 3.3 , 2.4 A, DPAK SuperFREDMesh Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STD3NK60ZD 600 V

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History: 2SK3355-Z

 

 

 

 

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