STD3NM60T4 Todos los transistores

 

STD3NM60T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD3NM60T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD3NM60T4 datasheet

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STD3NM60T4

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STD3NM60T4

STD3NM60N N-channel 600 V, 1.6 , 3.3 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK package Datasheet preliminary data Features VDSS RDS(on) Order codes ID @TJmax max. STD3NM60N 650 V

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STD3NM60T4

STD3NM50 STD3NM50-1 N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5 - 3A DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID (@Tjmax) STD3NM50 550V

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