STD40NF3LLT4 Todos los transistores

 

STD40NF3LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD40NF3LLT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 156 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STD40NF3LLT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  st
 std40nf3llt4.pdf pdf_icon

STD40NF3LLT4

STD40NF3LLN-channel 30V - 0.009 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF3LL 30V

 4.1. Size:396K  st
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STD40NF3LLT4

STD40NF3LLN-channel 30V - 0.009 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF3LL 30V

 7.1. Size:448K  st
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STD40NF3LLT4

STD40NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 - 40A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD40NF06 60 V

 7.2. Size:362K  st
 std40nf03l.pdf pdf_icon

STD40NF3LLT4

STD40NF03LN-channel 30V - 0.0090 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF03L 30V

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