STD45NF75T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD45NF75T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD45NF75T4 datasheet

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STD45NF75T4

STD45NF75 N-channel 75 V, 0.018 , 40 A DPAK STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD45NF75 75 V

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STD45NF75T4

STD45NF75 N-channel 75 V, 0.018 , 40 A DPAK STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD45NF75 75 V

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STD45NF75T4

STD45N10F7, STI45N10F7, STP45N10F7 N-channel 100 V, 0.0145 typ., 45 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS ID PTOT max.(1) 1 3 STD45N10F7 DPAK 2 1 2 STI45N10F7 100 V 0.018 45 A 60 W I PAK TAB STP45N10F7 1. @ VGS = 10 V Ultra low on-resistance 3 2

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STD45NF75T4

STU45N01 Green Product STD45N01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ Rugged and reliable. 100V 40A 18 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK ABS

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