STD4NK100Z Todos los transistores

 

STD4NK100Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD4NK100Z
   Código: 4NK100Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD4NK100Z Datasheet (PDF)

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STD4NK100Z

STD4NK100ZN-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max IDSTD4NK100Z 1000 V

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STD4NK100Z

STB4NK60Z-1, STB4NK60ZT4 STD4NK60Z-1, STD4NK60ZT4DatasheetN-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A SuperMESH Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packagesFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on) max. PTOT ID31322 STB4NK60Z-12 1D PAKI PAKSTB4NK60ZT4600 V 2 70 W 4 ATABTABSTD4NK60Z-132312STD4NK60ZT41DPAKIPAK Extremely high dv/dt

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STD4NK100Z

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60ZSTD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFPN-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFETDPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS PW ID 332max3 1121STB4NK60Z 600 V

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STD4NK100Z

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

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History: APT8024JFLL

 

 
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