STD4NK50ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD4NK50ZT4

Código: D4NK50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD4NK50ZT4 datasheet

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STD4NK50ZT4

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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STD4NK50ZT4

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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STD4NK50ZT4

STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1 STF4NK50ZD - STP4NK50ZD N-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH Power MOSFET General features 3 Type VDSS RDS(on) ID Pw 1 STD4NK50ZD-1 500V

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STD4NK50ZT4

STD4NK100Z N-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK package Datasheet preliminary data Features Order code VDSS RDS(on)max ID STD4NK100Z 1000 V

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