IXFN180N07 Todos los transistores

 

IXFN180N07 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN180N07

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN180N07 datasheet

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IXFN180N07

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mW Power MOSFETs IXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mW IXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mW N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C N07 70 V N06 60 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW N07 70 V G N06

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IXFN180N07

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IXFN180N07

VDSS = 150 V IXFN 180N15P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 150 A Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

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IXFN180N07

IXFN 180N10 VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) = 8 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 100 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S ID

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History: WMK08N70C4 | DMN3009LFVW-7 | 2SK857 | STD30N10F7

 

 

 

 

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