STD60NF55LT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STD60NF55LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD60NF55LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: DPAK

Búsqueda de reemplazo de STD60NF55LT4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:428K st
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STD60NF55L STD60NF55L-1 N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF55L-1 55V

4.1. Size:327K st
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STD60NF55LA N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF55LA 55V

4.2. Size:438K st
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STD60NF55L STD60NF55L-1 N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF55L-1 55V

4.3. Size:455K st
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STD60NF55L N-CHANNEL 55V - 0.012 - 60A DPAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD60NF55L 55V