STD60NF55LT4 Todos los transistores

 

STD60NF55LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD60NF55LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD60NF55LT4 Datasheet (PDF)

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STD60NF55LT4

STD60NF55LSTD60NF55L-1N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L-1 55V

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STD60NF55LT4

STD60NF55LAN-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55LA 55V

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STD60NF55LT4

STD60NF55LSTD60NF55L-1N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L-1 55V

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STD60NF55LT4

STD60NF55LN-CHANNEL 55V - 0.012 - 60A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L 55V

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History: APT6025BFLLG | H2N7002SN | NCE70N290K | AM3458N | IRFP9140NPBF | IPD100N06S4-03 | IPB055N03L

 

 
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