STD7NM50N-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD7NM50N-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STD7NM50N-1 datasheet

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STD7NM50N-1

STD7NM50N - STD7NM50N-1 STF7NM50N - STP7NM50N N-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 2 1 3 STD7NM50N 550V

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STD7NM50N-1

STD7NM50N - STD7NM50N-1 STF7NM50N - STP7NM50N N-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 2 1 3 STD7NM50N 550V

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STD7NM50N-1

STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages Features VDS RDS(on) max. ID Order code Package STD7NM60N DPAK STF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FP STU7NM60N IPAK D(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance G(1) Applications

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STD7NM50N-1

STD7NM64N N-channel 640 V, 5 A, 0.88 typ., MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID STD7NM64N 640 V 1.05 5 A TAB 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge 1 Low gate input resistance DPAK Applications Switching applications Description Figure 1. Internal schematic

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