STD90N02L-1 Todos los transistores

 

STD90N02L-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD90N02L-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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STD90N02L-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  st
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STD90N02L-1

STD90N02LSTD90N02L-1N-channel 25V - 0.0052 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDMaxSTD90N02L 25V

 ..2. Size:387K  st
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STD90N02L-1

STD90N02LSTD90N02L-1N-channel 25V - 0.0052 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDMaxSTD90N02L 25V

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STD90N02L-1

STD90N03LSTD90N03L-1N-channel 30V - 0.005 - 80A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90N03L 30V 0.0057 80A (1)STD90N03L-1 30V 0.0057 80A (1)332 11. Pulse width limited by safe operating area1 RDS(on)*Qg industrys benchmark Conduction losses reducedIPAKDPAK Switching losses reduced Low threshold

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STD90N02L-1

STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V

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History: IRF3709SPBF | SQJ952EP | SRM4N70 | AON7264E | NP75N04VUK | SQJ964EP | IPI80N06S2-07

 

 
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