STD95N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD95N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD95N04

STD95N04 Datasheet (PDF)

..1. Size:344K st
std95n04 std95n04 stp95n04 stp95n04.pdf

STD95N04STP95N04N-channel 40V - 5.4m - 80A - DPAK - TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTD95N04 40V

8.1. Size:760K st
std95n4f3 stp95n4f3.pdf

STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD95N4F3 40 V

8.2. Size:1108K st
stb95n4lf3 std95n4lf3.pdf

STB95N4LF3STD95N4LF3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A DPAK, D2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PDmaxSTD95N4LF3 40 V

8.3. Size:613K st
std95n2lh5 stp95n2lh5 stu95n2lh5.pdf

STD95N2LH5STP95N2LH5, STU95N2LH5N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD95N2LH5 25 V

8.4. Size:344K st
std95nh02lt4.pdf

STD95NH02L-1STD95NH02LN-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD95NH02L 24V

8.5. Size:341K st
std95nh02l std95nh02l-1.pdf

STD95NH02L-1STD95NH02LN-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD95NH02L 24V

8.6. Size:933K st
stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf

STB95N3LLH6, STD95N3LLH6STP95N3LLH6, STU95N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID313STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2DPAK1STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 ASTP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAKSTU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3

8.7. Size:1350K cn vbsemi
std95nh02l.pdf

STD95NH02Lwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 10030 95nC0.0045 at VGS = 4.5 V 97APPLICATIONSDTO-251 OR-ing Server DC/DCGSG D STop ViewN-Channel MOSFETA

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: