STD9N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD9N65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD9N65M2 datasheet
std9n65m2 stf9n65m2 stp9n65m2 stu9n65m2.pdf
STD9N65M2, STF9N65M2, STP9N65M2, STU9N65M2 N-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS max ID 3 1 DPAK STD9N65M2 3 2 1 STF9N65M2 650 V 0.9 5 A STP9N65M2 TO-220FP TAB STU9N65M2 TAB Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacit
std9n60m2 stp9n60m2 stu9n60m2.pdf
STD9N60M2, STP9N60M2, STU9N60M2 N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 3 TJmax max 1 DPAK STD9N60M2 STP9N60M2 650 V 0.78 5.5 A TAB STU9N60M2 TAB Extremely low gate charge 3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 2 2
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf
STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V
std9n10.pdf
STD9N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD9N10 100 V
Otros transistores... STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, IRF9640, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5, STE145N65M5, STE88N65M5, STF100N10F7, STF10N105K5, STF10N60M2
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Liste
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