IRFU9120PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU9120PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IRFU9120PBF datasheet

 ..1. Size:1077K  international rectifier
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IRFU9120PBF

PD - 95096A IRFR9120PbF IRFU9120PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91280 www.vishay.com 1 IRFR/U9120PbF Document Number 91280 www.vishay.com 2 IRFR/U9120PbF Document Number 91280 www.vishay.com 3 IRFR/U9120PbF Document Number 91280 www.vishay.com 4 IRFR/U9120PbF Document Number 91280 www.vishay.com 5 IRFR/U9120PbF Document Number 91280 www.vishay.com 6 I

 ..2. Size:1892K  vishay
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IRFU9120PBF

IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 RoHS* Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120) Qgs (nC) 3.0 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 9.0

 6.1. Size:298K  1
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IRFU9120PBF

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IRFU9120PBF

PD-95020A IRFR9120NPbF IRFU9120NPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR9120N) l Straight Lead (IRFU9120N) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.48 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -6.6A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing

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