IRFU9220PBF Todos los transistores

 

IRFU9220PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU9220PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFU9220PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1102K  international rectifier
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IRFU9220PBF

PD - 95029AIRFR9220PbFIRFU9220PbF Lead-Free1/10/05Document Number: 91283 www.vishay.com1IRFR/U9220PbFDocument Number: 91283 www.vishay.com2IRFR/U9220PbFDocument Number: 91283 www.vishay.com3IRFR/U9220PbFDocument Number: 91283 www.vishay.com4IRFR/U9220PbFDocument Number: 91283 www.vishay.com5IRFR/U9220PbFDocument Number: 91283 www.vishay.com6I

 ..2. Size:770K  vishay
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IRFU9220PBF

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5 Surface Mount (IRFR9220, SiHFR9220)Qg (Max.) (nC) 20 Straight Lead (IRFUFU9220, SiHFU9220)Qgs (nC) 3.3 Available in Tape and ReelQgd (nC) 11 P-Channel

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IRFU9220PBF

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IRFU9220PBF

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 20 Surface Mount (IRFR9220, SiHFR9220)Qgs (nC) 3.3 Straight Lead (IRFUFU9220, SiHFU9220)Qgd (nC) 11 A

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History: 2SK1443 | IRFPC42R | SIHF9540S | HITJ0203MP | AP85U03GM-HF | SPP80P06PH | IPD60R1K0PFD7S

 

 
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