IRFY240CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFY240CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 152 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFY240CM

IRFY240CM Datasheet (PDF)

..1. Size:214K international rectifier
irfy240cm.pdf

PD-91289EIRFY240C,IRFY240CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY240C 0.18 16A Ceramic IRFY240CM 0.18 16A CeramicTO-257AAHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very lo

6.1. Size:161K international rectifier
irfy240c.pdf

PD - 91289CIRFY240C,IRFY240CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY240 0.18 16A GlassIRFY240M 0.18 16A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-st

7.1. Size:161K international rectifier
irfy240.pdf

PD - 94187IRFY240,IRFY240MPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY240 0.18 16A GlassIRFY240M 0.18 16A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-state

7.2. Size:752K semelab
irfy240m.pdf

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFY240 / IRFY240M Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-257AB Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 200V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: