IXFN36N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFN36N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Encapsulados: SOT227B
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IXFN36N100 datasheet
ixfn36n100.pdf
HiPerFETTM IXFN 36N100 V = 1000V DSS Power MOSFETs ID25 = 36A Single Die MOSFET RDS(on) = 0.24 D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V VGSM
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf
IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 Preliminary Data VDSS ID25 RDS(on) trr IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250ns HiPerFETTM Power MOSFET IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1
ixfn39n90.pdf
VDSS = 900 V IXFN 39N90 HiPerFETTM ID25 = 39 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.22 Single MOSFET Die D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900
ixfn34n80.pdf
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 34N80 VDSS = 800 V Single DieMOSFET ID25 = 34 A RDS(on) = 0.24 W N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Preliminary data sheet S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transi
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History: 2SK2850-01 | SMK0160IS | SMK0160D | VN66AFD
History: 2SK2850-01 | SMK0160IS | SMK0160D | VN66AFD
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