IXFN44N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN44N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT227B

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXFN44N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFN44N50 datasheet

 ..1. Size:162K  ixys
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 ..2. Size:108K  ixys
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 0.1. Size:151K  ixys
ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf pdf_icon

IXFN44N50

VDSS ID (cont) RDS(on) trr HiPerFETTM 500 V 44 A 0.12 W 35 ns IXFN44N50U2 IXFN44N50U3 Power MOSFETs IXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns 3 3 Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits 4 2 2 Preliminary data 4 1 1 miniBLOC, SOT-227 B Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V 2 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 5

 7.1. Size:128K  ixys
ixfn44n60.pdf pdf_icon

IXFN44N50

HiPerFETTM IXFN 44N60 VDSS = 600 V Power MOSFETs ID25 = 44 A Single Die MOSFET RDS(on) = 130 mW D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S I

Otros transistores... IXFN27N80, IXFN280N07, IXFN32N60, IXFN340N07, IXFN34N80, IXFN36N100, IXFN36N60, IXFN39N90, AOD4184A, IXFN44N50U2, IXFN44N50U3, IXFN44N60, IXFN44N80, IXFN48N50, IXFN48N50U3, IXFN50N50, IXFN55N50