IRHF57234SE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHF57234SE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
Encapsulados: TO-39
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IRHF57234SE datasheet
irhf57234se.pdf
PD-93831B RADIATION HARDENED IRHF57234SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57234SE 100K Rads (Si) 0.42 5.2A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features for Single
irhf57230se.pdf
PD - 93857A RADIATION HARDENED IRHF57230SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57230SE 100K Rads (Si) 0.24 7.0A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized for Si
irhf57230.pdf
PD - 93788A RADIATION HARDENED IRHF57230 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57230 100K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF53230 300K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF54230 600K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF58230 1000K Rads (Si) 0.275 7.3A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides
irhf57214se.pdf
PD-97063A RADIATION HARDENED IRHF57214SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57214SE 100K Rads (Si) 1.55 2.2A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features for Single
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Liste
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