IRHF597130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHF597130
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de IRHF597130 MOSFET
IRHF597130 PDF Specs
irhf597130.pdf
PD-96963 RADIATION HARDENED IRHF597130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF597130 100K Rads (Si) 0.24 -6.7A IRHF593130 300K Rads (Si) 0.24 -6.7A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space appli- n Single Event ... See More ⇒
irhf597110.pdf
PD - 94176C RADIATION HARDENED IRHF597110 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4 # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF597110 100K Rads (Si) 1.0 -2.6A IRHF593110 300K Rads (Si) 1.0 -2.6A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space appli- Single Event Eff... See More ⇒
irhf597230.pdf
PD - 94450 RADIATION HARDENED IRHF597230 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF597230 100K Rads (Si) 0.54 -4.5A IRHF593230 300K Rads (Si) 0.54 -4.5A T0-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- cations. These devices have... See More ⇒
irhf57133se.pdf
PD - 94334A RADIATION HARDENED IRHF57133SE POWER MOSFET 130V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57133SE 100K Rads (Si) 0.1 10.5A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space appli- Single Event Effect (SEE) Hardened cations. These dev... See More ⇒
Otros transistores... IRFZ48VSPBF , IRFZ48ZLPBF , IRFZ48ZPBF , IRFZ48ZSPBF , IRHF57214SE , IRHF57230 , IRHF57234SE , IRHF597110 , 2SK3878 , IRHF597230 , IRHF67230 , IRHF7110 , STF12N120K5 , STF12N50M2 , STF12N60M2 , STF12N65M2 , STF12NK80Z .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
Popular searches
ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent

