STF18N65M5 Todos los transistores

 

STF18N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF18N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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STF18N65M5 datasheet

 ..1. Size:948K  st
stf18n65m5 sti18n65m5 stp18n65m5 stw18n65m5.pdf pdf_icon

STF18N65M5

STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5, STW18N65M5 N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order code ID TJmax max 3 2 1 3 STF18N65M5 2 1 TO-220FP STI18N65M5 I PAK 710 V

 ..2. Size:185K  inchange semiconductor
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STF18N65M5

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STF18N65M5 FEATURES Higher V rating DSS Excellent switching performance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS

 5.1. Size:795K  st
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STF18N65M5

STF18N65M2 N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max STF18N65M2 650 V 0.33 12 A Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested TO-220FP Zener-protected Applications Switching applications F

 7.1. Size:1066K  st
stf18n60m2.pdf pdf_icon

STF18N65M5

STF18N60M2 N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STF18N60M2 650 V 0.28 13 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation 3 2 1 Low gate input resistance TO-220FP 100% avalanche tested Zener-protected

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