STF20N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF20N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Encapsulados: TO-220FP
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STF20N20 datasheet
stf20n20.pdf
STP20N20 STF20N20 - STD20N20 N-CHANNEL 200V - 0.10 - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) Id PTOT STD20N20 200 V
stp20nf06 stf20nf06.pdf
STP20NF06 STF20NF06 N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP20NF06 60V
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf
STB20NM60A-1 STP20NM60A - STF20NM60A N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A I PAK/TO-220/TO-220FP MDmesh MOSFET TYPE VDSS @Tjmax RDS(on) ID STB20NM60A-1 650 V
stp20nm65n stf20nm65n.pdf
STP20NM65N STF20NM65N N-channel 650 V, 0.250 , 15 A TO-220, TO-220FP second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID @Tjmax max. STP20NM65N 710 V 0.270 15 A STF20NM65N 3 3 100 % avalanche tested 2 2 1 1 Low input capacitance and gate charge TO-220 TO-220FP Low gate input resistance Application Switching applications F
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History: STF18NM60ND
History: STF18NM60ND
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