STF26NM60N-H Todos los transistores

 

STF26NM60N-H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF26NM60N-H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STF26NM60N-H Datasheet (PDF)

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STF26NM60N-H

STF26NM60N-HN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTF26NM60N-H 600 V

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STF26NM60N-H

STF26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTF26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Applications TO-220FP Switching applications Description Figure 1: Int

 4.2. Size:1134K  st
 stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf pdf_icon

STF26NM60N-H

STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V

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STF26NM60N-H

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32

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History: VS4802GPHT | 2SJ605 | 2SK2939S | VBL2309 | 2SK4100LS | IRHMK57260SE | 3SK169P

 

 
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