STF2LN60K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF2LN60K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
- Selección de transistores por parámetros
STF2LN60K3 Datasheet (PDF)
std2ln60k3 stf2ln60k3 stu2ln60k3.pdf

STD2LN60K3, STF2LN60K3, STU2LN60K3N-channel 600 V, 4 typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDSS max ID PTOT3132STD2LN60K3 45 W DPAK1STF2LN60K3 600 V
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: DMN6075S | IPB60R190C6 | NCE65N260F | FCH20N60 | VBZE50P03
History: DMN6075S | IPB60R190C6 | NCE65N260F | FCH20N60 | VBZE50P03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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