STF2LN60K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF2LN60K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de STF2LN60K3 MOSFET
STF2LN60K3 Datasheet (PDF)
std2ln60k3 stf2ln60k3 stu2ln60k3.pdf

STD2LN60K3, STF2LN60K3, STU2LN60K3N-channel 600 V, 4 typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDSS max ID PTOT3132STD2LN60K3 45 W DPAK1STF2LN60K3 600 V
Otros transistores... STF25N80K5 , STF25NM50N , STF25NM60N , STF26NM60ND , STF26NM60N-H , STF28N60M2 , STF28N65M2 , STF28NM60ND , MMIS60R580P , STF2N80K5 , STF2N95K5 , STF30N10F7 , STF30NM60N , STF30NM60ND , STF31N65M5 , STF32NM50N , STF33N60M2 .
History: IPB100N06S2-05 | IRF7832PBF-1 | FQA24N50F109 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | PM561BA | IRF3710ZS
History: IPB100N06S2-05 | IRF7832PBF-1 | FQA24N50F109 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | PM561BA | IRF3710ZS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008