STF2LN60K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF2LN60K3
   Código: 2LN60K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF2LN60K3

STF2LN60K3 Datasheet (PDF)

..1. Size:1065K st
std2ln60k3 stf2ln60k3 stu2ln60k3.pdf

STD2LN60K3, STF2LN60K3, STU2LN60K3N-channel 600 V, 4 typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDSS max ID PTOT3132STD2LN60K3 45 W DPAK1STF2LN60K3 600 V

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: