STF33N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF33N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF33N60M2

STF33N60M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:1110K st
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221

6.1. Size:456K st
stf33n60dm6.pdf

STF33N60DM6DatasheetN-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO220FP packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTF33N60DM6 600 V 128 m 25 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation321 Low gate charge, input capacitance and resistance 100% avalanche testedTO-220FP Extremely high dv/dt

7.1. Size:794K st
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

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History: RTR030N05FRA

Liste

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