STF33N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF33N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de STF33N60M2 MOSFET
STF33N60M2 Datasheet (PDF)
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221
stf33n60dm6.pdf

STF33N60DM6DatasheetN-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO220FP packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTF33N60DM6 600 V 128 m 25 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation321 Low gate charge, input capacitance and resistance 100% avalanche testedTO-220FP Extremely high dv/dt
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce
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History: 2SK3417B | VBL1101M | FTB07N08N | AP1333GU | VS3508AE | SSM2302GN
History: 2SK3417B | VBL1101M | FTB07N08N | AP1333GU | VS3508AE | SSM2302GN



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