STF33N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF33N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Encapsulados: TO-220FP
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STF33N60M2 datasheet
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf
STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2 N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 3 2 3 TJmax max 1 2 1 2 I PAK TO-220FP STF33N60M2 26 A(1) TAB STI33N60M2 650 V 0.125 STP33N60M2 26 A STW33N60M2 3 3 2 2 1
stf33n60dm6.pdf
STF33N60DM6 Datasheet N-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO 220FP package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STF33N60DM6 600 V 128 m 25 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation 3 2 1 Low gate charge, input capacitance and resistance 100% avalanche tested TO-220FP Extremely high dv/dt
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf
STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and I PAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) Order codes VDS max ID STB33N65M2 3 3 1 2 1 STF33N65M2 TO-220FP D2PAK 650 V 0.14 24 A STP33N65M2 TAB TAB STI33N65M2 Extremely low gate charge Exce
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