STF7NM50N Todos los transistores

 

STF7NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF7NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STF7NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  st
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STF7NM50N

STD7NM50N - STD7NM50N-1STF7NM50N - STP7NM50NN-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)213STD7NM50N 550V

 ..2. Size:426K  st
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STF7NM50N

STD7NM50N - STD7NM50N-1STF7NM50N - STP7NM50NN-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)213STD7NM50N 550V

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STF7NM50N

STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages FeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSTD7NM60N DPAKSTF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FPSTU7NM60N IPAKD(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceG(1)Applications

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STF7NM50N

STD7NM60N, STF7NM60NSTP7NM60N, STU7NM60NN-channel 600 V, 5 A, 0.76 , DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAKsecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes ID3TJmax max.2 3211STD7NM60NTO-220IPAKSTF7NM60N650 V

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History: AON4701 | CS10N80AND | MSU12N60T | SPD50N03S2L-06 | AOD468 | IPD30N03S2L-10 | SVF10N65CFJH

 

 
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