STF8N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF8N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Encapsulados: TO-220FP
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STF8N80K5 datasheet
stf8n80k5 stfi8n80k5.pdf
STF8N80K5, STFI8N80K5 N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on)max. ID PTOT STF8N80K5 800 V 0.95 6 A 25 W STFI8N80K5 Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) 3 1 2 2 Ultra low gate charge 1 3 TO-220FP I2PAKFP (TO-2
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf
STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf
STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V
stf8nk100z stp8nk100z.pdf
STF8NK100Z STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60 - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Pw Type STF8NK100Z 1000 V
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