IXFR10N100Q Todos los transistores

 

IXFR10N100Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR10N100Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFR10N100Q Datasheet (PDF)

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IXFR10N100Q

Advanced Technical InformationVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 12N100Q 1000 V 10 A 1.05 WISOPLUS247TM Q CLASSIXFR 10N100Q 1000 V 9 A 1.20 W(Electrically Isolated Back Surface) trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 1000 V

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ixfr10n100f ixfr12n100f.pdf pdf_icon

IXFR10N100Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 12N100F 1000 V 10 A 1.05 ISOPLUS247TMIXFR 10N100F 1000 V 9 A 1.20 F-Class: MegaHertz Switching trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary Data SheetSymbol

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ixfr102n30p.pdf pdf_icon

IXFR10N100Q

VDSS = 300 VIXFR 102N30PPolarHTTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 36 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VE153432VDGR TJ = 25 C to 1

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ixfr180n15p.pdf pdf_icon

IXFR10N100Q

IXFR 180N15P VDSS = 150 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 13 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V E153432VDGR TJ

Otros transistores... IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IXFN73N30 , IXFN80N50 , IXFN90N30 , IRFP260N , IXFR120N20 , IXFR12N100Q , IXFR15N80Q , IXFR180N07 , IXFR180N085 , IXFR180N10 , IXFR24N100 , IXFR24N50 .

History: HUF76633P3 | IRCP044 | MTD3055VL | BFL4037 | STU10N20 | FCH070N60E

 

 
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