STFI130N10F3 Todos los transistores

 

STFI130N10F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFI130N10F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP
 

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STFI130N10F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  st
stf130n10f3 stfi130n10f3 sth130n10f3-2 stp130n10f3.pdf pdf_icon

STFI130N10F3

STF130N10F3, STFI130N10F3,STH130N10F3-2, STP130N10F3N-channel 100 V, 7.8 m typ., 120 A STripFETIII Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, HPAK-2 and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max. ID3STF130N10F3219.6 m 46 A12STFI130N10F3 3TO-220FP100 VIPAKFPSTH130N10F3-2 9.3 mTAB120 ASTP130N10F3 9.6 m TAB

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stfi13nm60n.pdf pdf_icon

STFI130N10F3

STFI13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesVDSS RDS(on) Type ID PTOT(@Tjmax) maxSTFI13NM60N 650 V

 8.2. Size:1020K  st
stfi13n80k5.pdf pdf_icon

STFI130N10F3

STFI13N80K5N-channel 800 V, 0.37 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAKFP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) ID PTOTSTFI13N80K5 800 V 0.45 12 A 35 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate Industrys lowest RDS(on) x area123 Industrys best figure of

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stf13n60m2 stfi13n60m2.pdf pdf_icon

STFI130N10F3

STF13N60M2, STFI13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF13N60M2650 V 0.38 11 ASTFI13N60M232 Extremely low gate charge1123TO-220FP Lower RDS(on) x area vs previous generationI2PAKFP Low gate input r

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History: FDMS8692 | BRCS050N04RA

 

 
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