STFI130N10F3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFI130N10F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: I2PAKFP

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STFI130N10F3 datasheet

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STFI130N10F3

STF130N10F3, STFI130N10F3, STH130N10F3-2, STP130N10F3 N-channel 100 V, 7.8 m typ., 120 A STripFET III Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, H PAK-2 and TO-220 packages Datasheet production data Features RDS(on) Order codes VDSS max. ID 3 STF130N10F3 2 1 9.6 m 46 A 1 2 STFI130N10F3 3 TO-220FP 100 V I PAKFP STH130N10F3-2 9.3 m TAB 120 A STP130N10F3 9.6 m TAB

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STFI130N10F3

STFI13NM60N N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in I PAKFP package Datasheet production data Features VDSS RDS(on) Type ID PTOT (@Tjmax) max STFI13NM60N 650 V

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STFI130N10F3

STFI13N80K5 N-channel 800 V, 0.37 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I PAKFP package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) ID PTOT STFI13N80K5 800 V 0.45 12 A 35 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate Industry s lowest RDS(on) x area 1 2 3 Industry s best figure of

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STFI130N10F3

STF13N60M2, STFI13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STF13N60M2 650 V 0.38 11 A STFI13N60M2 3 2 Extremely low gate charge 1 1 2 3 TO-220FP Lower RDS(on) x area vs previous generation I2PAKFP Low gate input r

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