STFI130N10F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFI130N10F3
   Código: 130N10F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STFI130N10F3

STFI130N10F3 Datasheet (PDF)

..1. Size:1213K st
stf130n10f3 stfi130n10f3 sth130n10f3-2 stp130n10f3.pdf

STF130N10F3, STFI130N10F3,STH130N10F3-2, STP130N10F3N-channel 100 V, 7.8 m typ., 120 A STripFETIII Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, HPAK-2 and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max. ID3STF130N10F3219.6 m 46 A12STFI130N10F3 3TO-220FP100 VIPAKFPSTH130N10F3-2 9.3 mTAB120 ASTP130N10F3 9.6 m TAB

8.1. Size:776K st
stfi13nm60n.pdf

STFI13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesVDSS RDS(on) Type ID PTOT(@Tjmax) maxSTFI13NM60N 650 V

8.2. Size:1020K st
stfi13n80k5.pdf

STFI13N80K5N-channel 800 V, 0.37 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAKFP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) ID PTOTSTFI13N80K5 800 V 0.45 12 A 35 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate Industrys lowest RDS(on) x area123 Industrys best figure of

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stf13n60m2 stfi13n60m2.pdf

STF13N60M2, STFI13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF13N60M2650 V 0.38 11 ASTFI13N60M232 Extremely low gate charge1123TO-220FP Lower RDS(on) x area vs previous generationI2PAKFP Low gate input r

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stf13n95k3 stfi13n95k3 stp13n95k3 stw13n95k3.pdf

STF13N95K3, STFI13N95K3, STP13N95K3, STW13N95K3N-channel 950 V, 0.68 typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP, TO-220 and TO-247Datasheet - production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on)max ID PTOTSTF13N95K340 WSTFI13N95K3950 V

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stf13n65m2 stfi13n65m2.pdf

STF13N65M2, STFI13N65M2N-channel 650 V, 0.37 typ., 10 A MDmesh M2 PowerMOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max IDSTF13N65M2650 V 0.43 10ASTFI13N65M2 Extremely low gate charge321213 Excellent output capacitance (Coss) profileTO-220FP I2PAKFP (TO-281) 100% avalanche tested

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stfi13nk60z.pdf

STFI13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, Zener-protected SuperMESHPower MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID PTOTmaxSTFI13NK60Z 600 V

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

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