STFI15N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFI15N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: I2PAKFP

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STFI15N65M5 datasheet

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STFI15N65M5

STF15N65M5, STFI15N65M5, STP15N65M5 N-channel 650 V, 0.308 typ., 11 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 2 1 STF15N65M5 TO-220FP STFI15N65M5 710 V

 6.1. Size:496K  st
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STFI15N65M5

STF15N60M2-EP, STFI15N60M2-EP N-channel 600 V, 0.340 typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile Very low turn-off switching losses 100% avalanche tested Zener-protected Applications TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Switching

 7.1. Size:914K  st
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STFI15N65M5

STF15NM65N,STFI15NM65N N-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code VDSS @Tjmax RDS(on) max. ID STF15NM65N 3 2 710 V 0.38 12 A 1 STFI15NM65N 1 TO-220FP 2 3 100% avalanche tested I 2PAKFP Low input capacitance and gate charge (TO-281) Low gate input resistance

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STFI15N65M5

STF15NM65N, STFI15NM65N, STP15NM65N N-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, I PAKFP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes VDSS @Tjmax RDS(on) max. ID STF15NM65N 3 2 1 STFI15NM65N 710 V 0.38 12 A 1 TO-220FP 2 3 STP15NM65N I 2PAKFP TAB 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3

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