STFI15N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STFI15N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAKFP
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STFI15N65M5 Datasheet (PDF)
stf15n65m5 stfi15n65m5 stp15n65m5.pdf
STF15N65M5, STFI15N65M5, STP15N65M5N-channel 650 V, 0.308 typ., 11 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max321STF15N65M5TO-220FPSTFI15N65M5 710 V
stf15n60m2-ep stfi15n60m2-ep.pdf
STF15N60M2-EP, STFI15N60M2-EP N-channel 600 V, 0.340 typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile Very low turn-off switching losses 100% avalanche tested Zener-protected Applications TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Switching
stf15nm65n stfi15nm65n.pdf
STF15NM65N,STFI15NM65NN-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packagesDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF15NM65N32 710 V 0.38 12 A1STFI15NM65N1TO-220FP 23 100% avalanche testedI 2PAKFP Low input capacitance and gate charge(TO-281) Low gate input resistance
stfi15nm65n.pdf
STF15NM65N, STFI15NM65N, STP15NM65NN-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF15NM65N321STFI15NM65N 710 V 0.38 12 A1TO-220FP 23STP15NM65NI 2PAKFPTAB 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge3
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Liste
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