STFI26NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFI26NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STFI26NM60N

STFI26NM60N Datasheet (PDF)

..1. Size:673K st
stfi26nm60n.pdf

STFI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS max IDSTFI26NM60N 600 V

8.1. Size:442K st
stfi260n6f6.pdf

STFI260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTFI260N6F6 60 V

9.1. Size:525K st
stfi20nk50z.pdf

STFI20NK50ZN-channel 500 V, 0.23 , 17 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeatures RDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTFI20NK50Z 500 V

9.2. Size:808K st
stf20n65m5 stfi20n65m5.pdf

STF20N65M5, STFI20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTF20N65M5710 V 0.19 18 ASTFI20N65M53 Worldwide best RDS(on) * area 12 231 Higher VDSS rating and high dv/dt capabilityTO-220FPI2PAKFP Excellent switching

9.3. Size:1364K st
stf24n60m2 stfi24n60m2 stfw24n60m2.pdf

STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF24N60M2321 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A23TO-220FPSTFW24N60M2I2PAKFP(TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

9.4. Size:731K st
stfi24nm60n.pdf

STFI24NM60NN-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesVDSS RDS(on) Order code ID(@Tjmax) max.STFI24NM60N 650 V

9.5. Size:773K st
stfi20nm65n.pdf

STFI20NM65NN-channel 650 V, 15 A, 0.250 typ., MDmesh II Power MOSFET in a IPAKFP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTFI20NM65N 710 V 0.270 15 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance1232 ApplicationsI PAKFP (TO-281) Switching applicationsDescriptio

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stf28n60m2 stfi28n60m2.pdf

STF28N60M2, STFI28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF28N60M2650 V 0.150 22 ASTFI28N60M23 Extremely low gate charge21 Excellent output capacitance (Coss) profile TO-220FP 123 100% avalanche tested2I PAKFP

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HFS50N06

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: