STFI31N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFI31N65M5
   Código: 31N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.148 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP

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STFI31N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1658K st
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID231STB31N65M53TAB 2D2PAK1STF31N65M5TO-220FPSTFI31N65M5 710 V

9.1. Size:779K st
stfi34nm60n.pdf

STFI34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS ID PTOTmax.STFI34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate12 100% avalanche tested3 Low input capacitance and gate charge

9.2. Size:1315K st
stb34n65m5 stf34n65m5 stfi34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf

STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5,STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max313STB34N65M52D2PAK1TO-220FPSTF34N65M5I2PAKFPSTFI34N65M5 TABTAB710 V

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