STFI31N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STFI31N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.148 Ohm
Encapsulados: I2PAKFP
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STFI31N65M5 datasheet
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf
STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5 N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 STB31N65M5 3 TAB 2 D2PAK 1 STF31N65M5 TO-220FP STFI31N65M5 710 V
stfi34nm60n.pdf
STFI34NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET in I PAKFP package Datasheet production data Features RDS(on) Order code VDS ID PTOT max. STFI34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate 1 2 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge
stb34n65m5 stf34n65m5 stfi34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf
STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5 N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID 2 TJmax max 3 1 3 STB34N65M5 2 D2PAK 1 TO-220FP STF34N65M5 I2PAKFP STFI34N65M5 TAB TAB 710 V
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Liste
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