STFI34N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFI34N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: I2PAKFP

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STFI34N65M5 datasheet

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STFI34N65M5

STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5 N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID 2 TJmax max 3 1 3 STB34N65M5 2 D2PAK 1 TO-220FP STF34N65M5 I2PAKFP STFI34N65M5 TAB TAB 710 V

 7.1. Size:779K  st
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STFI34N65M5

STFI34NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET in I PAKFP package Datasheet production data Features RDS(on) Order code VDS ID PTOT max. STFI34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate 1 2 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge

 9.1. Size:1658K  st
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STFI34N65M5

STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5 N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 STB31N65M5 3 TAB 2 D2PAK 1 STF31N65M5 TO-220FP STFI31N65M5 710 V

Otros transistores... STFI20N65M5, STFI20NM65N, STFI24N60M2, STFI24NM60N, STFI260N6F6, STFI26NM60N, STFI28N60M2, STFI31N65M5, 12N60, STFI34NM60N, STFI40N60M2, STFI4N62K3, STFI6N62K3, STFI6N65K3, STFI6N80K5, STFI7N80K5, STFI8N80K5